Исследователи из Калифорнийского технологического института (Caltech) утверждают, что время, когда смартфоны смогут «видеть» сквозь стены, практически наступило. И эта способность появится благодаря новому крошечному относительно недорогому микрочипу.

Кремниевый микрочип работает на терагерцевых частотах, разновидность электромагнитного излучения, спектр частот которого находится между инфракрасным и сверхчастотным диапазонами. Сигнал разработанного устройства примерно в тысячу раз мощнее, чем у имеющихся аналогов. При этом терагерцевое излучение не является ионизирующим, оно легко проходит через многие материалы без ионизирующего повреждения рентгеновских лучей.

 Фото: внутри игрушки находится пуля и лезвие ножа. Терагерцевое изображение, полученное с помощью кремниевого чипа, позволяет увидеть спрятанные объекты

При использовании новых микрочипов в портативных устройствах открывается широкий спектр возможностей в различных областях: от национальной безопасности до медицинского обслуживания и игровой индустрии (например, в бесконтактных играх). В будущем технология может помочь в неинвазивной диагностике рака.

Разработчик, Али Хаджимири (Ali Hajimiri) отмечает: «Используя дешёвые микросхемы, которые применяются в телефонах и электронных книгах сегодня, мы создали кремниевый чип, способный работать в 300 раз быстрее. Подобные чипы помогут создать новое поколение различных датчиков»

На данном этапе прошли уже первые испытания представленной технологии. Используя сканер, исследователи смогли обнаружить лезвие, спрятанное в куске пластмассы.

Али Хаджимири: «Мы не говорим о том, что только потенциально возможно. Мы уже продемонстрировали, что это работает. Когда мы в первый раз увидели настоящее изображение, у нас перехватило дыхание»

Другой автор работы, Сенгупта (Sengupta) говорит: «Мы просто оглянулись назад и спросили себя: «А можем ли мы сделать что-то по-другому»? Наши чипы – пример такого вида инноваций, которые становятся возможными, если переступить через традиционные способы мышления»

Полное описание работы приводится в декабрьском номере IEEE Journal of Solid-State Circuits.

http://infuture.ru/article/7710