Исследователи из Калифорнийского
технологического института (Caltech) утверждают, что время, когда
смартфоны смогут «видеть» сквозь стены, практически наступило. И эта
способность появится благодаря новому крошечному относительно недорогому
микрочипу.
Кремниевый микрочип работает на
терагерцевых частотах, разновидность электромагнитного излучения, спектр
частот которого находится между инфракрасным и сверхчастотным
диапазонами. Сигнал разработанного устройства примерно в тысячу раз
мощнее, чем у имеющихся аналогов. При этом терагерцевое излучение не
является ионизирующим, оно легко проходит через многие материалы без
ионизирующего повреждения рентгеновских лучей.
Фото: внутри игрушки находится пуля и
лезвие ножа. Терагерцевое изображение, полученное с помощью кремниевого
чипа, позволяет увидеть спрятанные объекты
При использовании новых микрочипов в
портативных устройствах открывается широкий спектр возможностей в
различных областях: от национальной безопасности до медицинского
обслуживания и игровой индустрии (например, в бесконтактных играх). В
будущем технология может помочь в неинвазивной диагностике рака.
Разработчик, Али Хаджимири (Ali
Hajimiri) отмечает: «Используя дешёвые микросхемы, которые применяются в
телефонах и электронных книгах сегодня, мы создали кремниевый чип,
способный работать в 300 раз быстрее. Подобные чипы помогут создать
новое поколение различных датчиков»
На данном этапе прошли уже первые
испытания представленной технологии. Используя сканер, исследователи
смогли обнаружить лезвие, спрятанное в куске пластмассы.
Али Хаджимири: «Мы не говорим о том, что
только потенциально возможно. Мы уже продемонстрировали, что это
работает. Когда мы в первый раз увидели настоящее изображение, у нас
перехватило дыхание»
Другой автор работы, Сенгупта (Sengupta)
говорит: «Мы просто оглянулись назад и спросили себя: «А можем ли мы
сделать что-то по-другому»? Наши чипы – пример такого вида инноваций,
которые становятся возможными, если переступить через традиционные
способы мышления»
Полное описание работы приводится в
декабрьском номере IEEE Journal of Solid-State Circuits.
http://infuture.ru/article/7710
